产品分类 |
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
UMH2N-TP PDF |
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产品培训模块 |
Diode Handling and Mounting
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标准包装 |
1 |
系列 |
- |
晶体管类型 |
2 个 NPN 预偏压式(双)
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电流 - 集电极 (Ic)(最大) |
100mA
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
50V
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电阻器 - 基极 (R1)(欧) |
47k
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电阻器 - 发射极 (R2)(欧) |
47k
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在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) |
68 @ 5mA,5V
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Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) |
300mV @ 500µA,10mA
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电流 - 集电极截止(最大) |
500nA
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频率 - 转换 |
250MHz
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功率 - 最大 |
150mW
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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供应商设备封装 |
SOT-363
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包装 |
剪切带 (CT)
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产品目录页面 |
1631 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
UMH2N-TPMSCT
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